国家知识产权局信息显示，上海光羽芯辰科技有限公司申请一项名为“用于大模型AI芯片的片上缓存管理系统、方法、介质、程序产品及终端”的专利，公开号CN122346443A，申请日期为2026年3月。

专利摘要显示，本申请提供的用于大模型AI芯片的片上缓存管理系统、方法、介质、程序产品及终端，本申请采用3T GC‑eDRAM缓存单元结构在芯片上提升单位面积存储容量，并且与传统的6T SRAM相比在同等缓存容量下芯片面积明显缩减，进而降低了量产成本。本申请基于大模型的数据热度特征参数采用三级动态刷新策略，避免统一刷新的资源浪费，降低刷新功耗。本申请在面向大模型推理的应用场景中，通过片上缓存硬件结构与动态刷新机制结合，有效降低了响应延迟，满足大模型低延迟推理需求。本申请采用3T GC‑eDRAM缓存单元结构在芯片上实现片上缓存，可以基于标准CMOS工艺实现，并且可以直接迁移至7nm、5nm等先进制程，不需要工艺改造。

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